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深入理解微电子电路设计——电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版).

  • 产品名称:深入理解微电子电路设计:...
  • 品牌:清华大学出版社
  • 书名:深入理解微电子电路设计:电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版)
  • 作者:[美]理查德·C.耶格(RichardC.Jaege
  • 定价:198.00元
  • 书名:深入理解微电子电路设计:电子元器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版)
  • 开本:16开
  • 是否是套装:否
  • 出版社名称:清华大学出版社

教学资源:

中文翻译版由清华大学出版社出版,习题解答可到麦格劳希尔公司网站本书页面下载。

本书特色:

本书系统论述了微电子电路的基本知识及其应用,全书共分为18章,涵盖了固态电子学与器件、数字电路和模拟电路三部分知识体系,通过本书的学习,读者可以全面了解现代电子设计技术、模拟电路、数字电路及分立电路和集成电路。在固态电子学与器件部分,主要介绍了电子学的基本原理及固态电子学基础、二极管的i-V特性及晶体管的SPICE模型等内容,给出了电路设计中常用的*差情况分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法。在数字电路部分,作者着重讲解了逻辑电路的基本概念,对NMOS、CMOS、MOS存储电路及双极型数字逻辑电路都进行了详细的讲解。在模拟电路部分,从放大器入手,详细介绍了放大器相关概念、二端口模型、反馈放大器频率响应、小信号建模、单晶体管放大器、差分放大器、反馈放大器及振荡器等内容。

1)注重方法: 本书从工程角度定义了9步问题求解方法,定义清晰,书中的大量设计实例都是采用该方法进行求解,有助于读者加深对相关电路设计的理解与掌握。

2)注重实践: 书中每章都提供了大量的设计实例,*后都会给出专门的设计习题、计算机习题和SPICE习题,并提供在线的习题指导。

3)软件仿真: 本书注重电子技术的运用,采用计算机作为辅助工具,包括利用MATLAB、电子表格或者利用高级语言来开发设计选项,许多电路设计都提供了SPICE仿真模型,便于对所设计电路进行性能上的模拟验证。

4)内容全面: 本书既有微电子电路相关的基础概念、分析方法,也有电子电路相关的特性、分析及设计,内容由浅入深,前后连贯,能够激发读者学习兴趣,启迪创新思想。

基本信息
商品名称: 深入理解微电子电路设计——电子器件、数字电路、模拟电路原理及应用(原书第5版) 开本: 128开
作者: [美] 理查德 · C.耶格(Richard C. Jaeger) [美] 特拉维斯 · N.布莱洛克(Travis N. Blalock) 著 宋廷强 编译 定价: (咨询特价)
ISBN号: 48 出版时间: (咨询特价)-01
出版社: 清华大学出版社 印刷时间: (咨询特价)-01
版次: 1 印次: 1

第一部分

固态电子学与器件

第1章

电子学简介

1.1电子学发展简史: 从真空管到吉规模集成电路

1.2电信号的分类

1.2.1数字信号

1.2.2模拟信号

1.2.3A/D和D/A转换器——模拟与数字

信号的桥梁

1.3符号约定

1.4问题求解的方法

1.5电路理论的主要概念

1.5.1分压和分流

1.5.2戴维南定理和诺顿定理

1.6电信号的频谱

1.7放大器

1.7.1理想运算放大器

1.7.2放大器频率响应

1.8电路设计中件参数的变化

1.8.1容差的数学模型

1.8.2最差情况分析

1.8.3蒙特卡洛分析

1.8.4温度系数

1.9数值精度

小结

关键词

参考文献

扩展阅读

习题

第2章

固态电子学

2.1固态电子材料

2.2共价键模型

2.3半导体中的漂移电流和迁移率

2.3.1漂移电流

2.3.2迁移率

2.3.3速度饱和

2.4本征硅的电阻率

2.5半导体中的杂质

2.5.1硅中的施主杂质

2.5.2硅中的受主杂质

2.6掺杂半导体中的电子和空穴浓度

2.6.1n型材料(ND>NA)

2.6.2p型材料(NA>ND)

2.7掺杂半导体中的迁移率和电阻率

2.8扩散电流

2.9总电流

(咨询特价)能带模型

(咨询特价).1本征半导体中电子空穴对的产生

(咨询特价).2掺杂半导体的能带模型

(咨询特价).3补偿半导体

(咨询特价)集成电路制造综述

小结

关键词

参考文献

补充阅读

习题

 

第3章

固态二极管和二极管电路

3.1pn结二极管

3.1.1pn结静电学

3.1.2二极管内部电流

3.2二极管的i瞯特性

3.3二极管方程:二极管的数学模型

3.4二极管特性之反偏、零偏和正偏

3.4.1反偏

3.4.2零偏

3.4.3正偏

3.5二极管的温度系数

3.6反偏下的二极管

3.6.1实际二极管的饱和电流

3.6.2反向击穿

3.6.3击穿区的二极管模型

3.7pn结电容

3.7.1反偏

3.7.2正偏

3.8肖特基势垒二极管

3.9二极管的SPICE模型及版图

3.9.1二极管的版图

(咨询特价)二极管电路分析

(咨询特价).1负载线分析法

(咨询特价).2二极管数学模型分析法

(咨询特价).3理想二极管模型

(咨询特价).4恒压降模型

(咨询特价).5模型比较与讨论

(咨询特价)多二极管电路

(咨询特价)二极管工作在击穿区域的分析

(咨询特价).1负载线分析

(咨询特价).2分段线性模型分析

(咨询特价).3稳痒

(咨询特价).4包含齐纳电阻的电路分析

(咨询特价).5线性调整率和负载调整率

(咨询特价)半波整流电路

(咨询特价).1带负载电阻的半波整流器

(咨询特价).2整流滤波电容

(咨询特价).3带RC负载的半波整流器

(咨询特价).4纹波电压和导通期

(咨询特价).5二极管电流

(咨询特价).6浪涌电流

(咨询特价).7额定峰值反向电压

(咨询特价).8二极管功耗

(咨询特价).9输出负电压的半波整流器

(咨询特价)全波整流电路

(咨询特价).1输出负电压的全波整流器

(咨询特价)全波桥式整流

(咨询特价)整流器的比较及折中设计

(咨询特价)二极管的动态开关行为

(咨询特价)光电二极管、太阳能电池和发光二极管

(咨询特价).1光电二极管和光探测器

(咨询特价).2太阳能电池

(咨询特价).3发光二极管(LED)

小结

关键词

参考文献

扩展阅读

习题

第4章

场效应晶体管

4.1MOS电容特性

4.1.1积累区

4.1.2耗尽区

4.1.3反型区

4.2NMOS晶体管

4.2.1NMOS晶体管的i瞯特性的定性描述

4.2.2NMOS晶体管的线性区特性

4.2.3导通电阻

4.2.4跨导

4.2.5i瞯特性的饱和

4.2.6饱和(夹断)区的数学模型

4.2.7饱和跨导

4.2.8沟道长度调制

4.2.9传输特性及耗尽型MOSFET

4.2.10体效应或衬底灵敏度

4.3PMOS晶体管

4.4MOSFET电路符号

4.5MOS晶体管的电容

4.5.1NMOS晶体管的线性区电容

4.5.2饱和区电容

4.5.3截止区电容

4.6SPICE中的MOSFET建模

4.7MOS晶体管的等比例缩放

4.7.1漏极电流

4.7.2栅极电容

4.7.3电流和功率密度

4.7.4功耗惭映倩

4.7.5截值率

4.7.6大电场限制

4.7.7包含高场限制的统一MOS晶体管模型

4.7.8亚阈值导通

4.8MOS晶体管的制造工艺及版图设计规则

4.8.1最小特征尺寸和对准容差

4.8.2MOS晶体管的版图

4.9NMOS场效应管的偏置

4.9.1为什么需要偏置

4.9.2四电阻偏置

4.9.3恒定栅苍吹缪置

4.9.4Q点的图形分析

4.9.5包含体效应的分析

4.9.6使用统一模型进行分析

(咨询特价)PMOS场效应晶体管的偏置

(咨询特价)结型场效应管(JFET)

(咨询特价).1偏压下的JFET

(咨询特价).2漏源偏置下的JFET沟道

(咨询特价).3n沟道JFET的i瞯特性

(咨询特价).4p沟道JFET

(咨询特价).5JFET的电路符号和模型小结

(咨询特价).6JFET电容

(咨询特价)JFET的SPICE模型

(咨询特价)JFET和耗尽型MOSFET的偏置

小结

关键词

参考文献

习题

第5章

双极型晶体管

5.1双极型晶体管的物理结构

5.2npn晶体管的传输模型

5.2.1正向特性

5.2.2反向特性

5.2.3任意偏置条件下晶体管传输模型方程

5.3pnp晶体管

5.4晶体管传输模型的等效电路

5.5双极型晶体管的i瞯特性

5.5.1输出特性

5.5.2传输特性

5.6双极型晶体管的工作区

5.7传输模型的简化

5.7.1截止区的简化模型

5.7.2正向有源区的模型简化

5.7.3双极型集成电路中的二极管

5.7.4反向有源区的简化模型

5.7.5饱和区模型

5.8双极型晶体管的非理想特性

5.8.1结击穿电压

5.8.2基区的少数载流子传输

5.8.3基区传输时间

5.8.4扩散电容

5.8.5共发电流增益对频率的依赖性

5.8.6Early效应和Early电压

5.8.7Early效应的建模

5.8.8Early效应的产生原因

5.9跨导

(咨询特价)双极型工艺与SPICE模型

(咨询特价).1定量描述

(咨询特价).2SPICE模型方程

(咨询特价).3高性能双极型晶体管

(咨询特价)BJT的实际偏置电路

(咨询特价).1四电阻偏置网络

(咨询特价).2四电阻偏置网络的设计目标

(咨询特价).3四电阻偏置电路的迭代分析

(咨询特价)偏置电路的容差

(咨询特价).1最差情况分析

(咨询特价).2蒙特卡洛分析

小结

关键词

<......

本书系统论述了微电子电路的基本知识及其应用,全书共分为18章,涵盖了固态电子学与器件、数字电路和模拟电路三部分知识体系。通过本书的学习,读者可以全面了解现代电子设计的基本技术、模拟电路和数字电路及分立电路和集成电路。在本书固态电子学与器件部分,主要介绍了电子学的基本原理、固态电子学基础、二极管的i瞯特性及晶体管的SPICE模型等内容,给出了电路设计中常用的*差情况分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法。在数字电路部分,着重讲解了逻辑电路的基本概念,NMOS、CMOS、MOS存储电路及双极型数字逻辑电路。模拟电路部分,从放大器入手,详细介绍了放大器相关概念、二端口模型、反馈放大器频率响应、小信号建模、单晶体管放大器、差分放大器、反馈放大器及振荡器等内容。
通过本书的学习,读者可以掌握微电子电路相关的概念和知识,学会电路分析及电路设计方法。书中给出了大量的设计实例及练习供读者学习与实践。本书可以作为电子信息类、电气类专业本科生或研究生的专业教材或参考书,也可以作为从事固态电子学与器件、数字电路和模拟电路设计或开发的工程技术人员的参考书。

 

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[美] 理查德·C.耶格(Richard C. Jaeger)  美国佛罗里达大学电气工程专业博士,奥本大学电气与计算机工程系资深教授,1995年被任命为研究生院杰出导师,主要研究领域为固态电路和器件、电子封装、压阻应力传感器、低温电子设备、VLSI设计以及电子设备和电路中的噪声等。

[美] 特拉维斯·N.布莱洛克(Travis N. Blalock)美国弗吉尼亚大学电气与计算机工程系教授。

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