芯片制造:半导体工艺制程实用教程+集成电路制造工艺与工程应用+芯片SIP封装与工程设计 半导体集成电路芯片设计制造封装工艺技术.

内容简介

本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书，在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段：从原材料的制备到封装、测试和成品运输，以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例，并辅以小结和习题，以及丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展，讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的优选工艺和很好技术，使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容，并加入了半导体业界的新成果，可以使读者了解工艺技术发展的趋势。

目录

 

第一章半导体产业

1.1引言

1.2一个产业的诞生

1.3固态时代

1.4集成电路

1.5工艺和产品趋势

1.6半导体产业的构成

1.7生产阶段

1.8微芯片制造过程发展的60年

1.9纳米时代

习题

参考文献

第2章半导体材料和化学品的特性

2.1引言

2.2原子结构

2.(咨询特价)素周期表

2.4电传导

2.5绝缘体和电容器

2.6本征半导体

2.7掺杂半导体

2.8电子和空传导

2.9半导体生产材料

(咨询特价)半导体化合物

(咨询特价)锗化硅

(咨询特价)衬底工程

(咨询特价)铁电材料

(咨询特价)金刚石半导体

(咨询特价)工艺化学品

(咨询特价)物质的状态

(咨询特价)物质的性质

(咨询特价)压力和真空

(咨询特价)酸、碱和溶剂

(咨询特价)化学纯化和清洗

习题

参考文献

第3章晶体生长与硅晶圆制备

3.1引言

3.2半导体硅制备

3.3晶体材料

3.4晶体定向

3.5晶体生长

3.6晶体和晶圆质量

3.7晶圆制备

3.8切片

3.9晶圆刻号

(咨询特价)磨片

(咨询特价)化学机械抛光

(咨询特价)背面处理

(咨询特价)双面抛光

(咨询特价)边缘倒角和抛光

(咨询特价)晶圆评估

(咨询特价)氧化

(咨询特价)包装

(咨询特价)工程化晶圆（衬底）

习题

参考文献

第4章晶圆制造和封装概述

4.1引言

4.2晶圆生产的目标

4.3晶圆术语

4.4芯片术语

4.5晶圆生产的基础工艺

4.6薄膜工艺

4.7晶圆制造实例

4.8晶圆中测

4.9集成电路的封装

(咨询特价)小结

习题

参考文献

第5章污染控制

5.1引言

5.2污染源

5.3净化间的建设

5.4净化间的物质与供给

5.5净化间的维护

5.6晶圆表面清洗

习题

参考文献

第6章生产能力和工艺良品率

6.1引言

6.2良品率测量点

6.3累积晶圆生产良品率

晶圆生产良品率的制约因素

6.5封装和终测试良品率

6.6整体工艺良品率

习题

参考文献

第7章氧化

7.1引言

7.2二氧化硅层的用途

7.3热氧化机制

7.4氧化工艺

7.5氧化后评估

习题

参考文献

第8章十步图形化工艺流程——从表面制备到曝光

8.1引言

8.2光刻工艺概述

8.3光刻十步法工艺过程

8.4基本的光刻胶化学

8.5光刻胶性能的要素

8.6光刻胶的物理属性

8.7光刻工艺：从表面制备到曝光

8.8表面制备

8.9涂光刻胶（旋转施

(咨询特价)软烘焙

(咨询特价)对准和曝光

(咨询特价)先进的光刻

习题

参考文献

第9章十步图形化工艺流程——从显影到终检验

9.1引言

9.2硬烘焙

9.3刻蚀

9.4湿法刻蚀

9.5干法刻蚀

9.6干法刻蚀中光刻胶的影响

9.7光刻胶的去除

9.8去胶的新挑战

9.9终目检

(咨询特价)掩模版的制作

(咨询特价)小结

习题

参考文献

0章下一代光刻技术

10.1引言

10.2下一代光刻工艺的挑战

10.3其他曝光问题

10.4其他解决方案及其挑战

10.5晶圆表面问题

10.6防反射涂层

10.7不错光刻胶工艺

10.8改进刻蚀工艺

10.9自对准结构

(咨询特价)刻蚀轮廓控制

习题

参考文献

1章掺杂

11.1引言

11.2扩散的概念

11.3扩散形成的掺杂区和结

11.4扩散工艺的步骤

11.5淀积

11.6推进氧化

11.7离子注入简介

11.8离子注入的概念

11.9离子注入系统

(咨询特价)离子注入区域的杂质浓度

(咨询特价)离子注入层的评估

(咨询特价)离子注入的应用

(咨询特价)掺杂前景展望

习题

参考文献

......

 

韩郑生，男，中科院微电子研究所研究员/教授，博士生导师，研究方向为微电子学与固体电子学，从事集成电路工艺技术、电路设计方面的工作，曾任不错工程师，光刻工艺负责人，研究室副主任兼任测试工艺负责人，硅工程中心产品部主任，项目/课题负责人。国家特殊津贴获得者。国家自然基金面上项目评审专家。

集成电路制造工艺与工程应用

内容简介

《集成电路制造工艺与工程应用》以实际应用为出发点，对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍，例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术，然后从工艺整合的角度，通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍，例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这些工艺技术应用于实际工艺流程中，通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。

《集成电路制造工艺与工程应用》旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术，给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。

 

目录

专家推荐

 

写作缘由与编写过程

 

致谢

 

第1章 引言

 

1.1崛起的CMOS工艺制程技术

 

1.1.1 双极型工艺制程技术简介

 

1.1.2 PMOS工艺制程技术简介

 

1.1.3 NMOS工艺制程技术简介

 

1.1.4 CMOS工艺制程技术简介

 

1.2 特殊工艺制程技术

 

1.2.1 BiCMOS工艺制程技术简介

 

1.2.2 BCD工艺制程技术简介

 

1.2.3 HV- CMOS工艺制程技术简介

 

1.3 MOS集成电路的发展历史

 

1.4 MOS器件的发展和面临的挑战

 

参考文献

 

 

 

第2章 先进工艺制程技术

 

2.1 应变硅工艺技术

 

2.1.1 应变硅技术的概况

 

2.1.2 应变硅技术的物理机理

 

2.1.3 源漏嵌入SiC应变技术

 

2.1.4 源漏嵌入SiGe应变技术

 

2.1.5 应力记忆技术

 

2.1.6 接触刻蚀阻挡层应变技术

 

2.2 HKMG工艺技术

 

2.2.1 栅介质层的发展和面临的挑战

 

2.2.2 衬底量子效应

 

2.2.3 多晶硅栅耗尽效应

 

2.2.4 等效栅氧化层厚度

 

2.2.5 栅直接隧穿漏电流

 

2.2.6 高介电常数介质层

 

2.2.7 HKMG工艺技术

 

2.2.8 金属嵌入多晶硅栅工艺技术

 

2.2.9 金属替代栅极工艺技术

 

2.3 SOI工艺技术

 

2.3.1 SOS技术

 

2.3.2 SOI技术

 

2.3.3 PD- SOI

 

2.3.4 FD- SOI

 

2.4 FinFET和UTB-SOI工艺技术

 

2.4.1 FinFET的发展概况

 

2.4.2 FinFET和UTB- SOI的原理

 

2.4.3 FinFET工艺技术

 

参考文献

 

 

 

第3章 工艺集成

 

3.1 隔离技术

 

3.1.1 pn结隔离技术

 

3.1.2 LOCOS（硅局部氧化）隔离技术

 

3.1.3 STI（浅沟槽）隔离技术

 

3.1.4 LOD效应

 

3.2 硬掩膜版工艺技术

 

3.2.1 硬掩膜版工艺技术简介

 

3.2.2 硬掩膜版工艺技术的工程应用

 

3.3 漏致势垒降低效应和沟道离子注入

 

3.3.1 漏致势垒降低效应

 

3.3.2 晕环离子注入

 

3.3.3 浅源漏结深

 

3.3.4 倒掺杂阱

 

3.3.5 阱邻近效应

 

3.3.6 反短沟道效应

 

3.4 热载流子注入效应和轻掺杂漏（LDD）工艺技术

 

3.4.1 热载流子注入效应简介

 

3.4.2 双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术

 

3.4.3 侧迁Spacer Sidewall）工艺技术

 

3.4.4 轻掺杂漏离子注入和侧墙工艺技术的工程应用

 

3.5 金属硅化物技术

 

3.5.1 Polycide工艺技术

 

3.5.2 Salicide工艺技术

 

3.5.3 SAB工艺技术

 

3.5.4 SAB和Salicide工艺技术的工程应用

 

3.6 静电放电离子注入技术

 

3.6.1 静电放电离子注入技术

 

3.6.2 静电放电离子注入技术的工程应用

 

3.7 金属互连技术

 

3.7.1 接触孔和通孔金属填充

 

3.7.2 铝金属互连

 

3.7.3 铜金属互连

 

3.7.4 阻挡层金属

 

参考文献

 

 

 

第4章 工艺制程整合

 

4.1 亚微米CMOS前段工艺制程技术流程

 

4.1.1 衬底制备

 

4.1.2 双阱工艺

 

4.1.3 有源区工艺

 

4.1.4 LOCOS隔离工艺

 

4.1.5 阈值电压离子注入工艺

 

4.1.6 栅氧化层工艺

 

4.1.7 多晶硅栅工艺

 

4.1.8 轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺

 

4.1.9 侧墙工艺

 

4.1.10 源漏离子注入工艺

 

4.2 亚微米CMOS后段工艺制程技术流程

 

4.2.1 ILD工艺

 

4.2.2 接触孔工艺

 

4.2.3 金属层1工艺

 

4.2.4 IMD1工艺

 

4.2.5 通孔1工艺

 

4.2.6 金属电容（MIM）工艺

 

4.2.7 金属2工艺

 

4.2.8 IMD2工艺

 

4.2.9 通孔2工艺

 

4.2.10 顶层金属工艺

 

4.2.11 钝化层工艺

 

4.3 深亚微米CMOS前段工艺技术流程

 

4.3.1 衬底制备

 

4.3.2 有源区工艺

 

4.3.3 STI隔离工艺

 

4.3.4 双阱工艺

 

4.3.5 栅氧化层工艺

 

4.3.6 多晶硅栅工艺

 

4.3.7 轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺

 

4.3.8 侧墙工艺

 

4.3.9 源漏离子注入工艺

 

4.3.10 HRP工艺

 

4.3.11 Salicide工艺

 

4.4 深亚微米CMOS后段工艺技术

 

4.5 纳米CMOS前段工艺技术流程

 

4.6 纳米CMOS后段工艺技术流程

 

4.6.1 ILD工艺

 

4.6.2 接触孔工艺

 

4.6.3 IMD1工艺

 

4.6.4 金属层1工艺

 

4.6.5 IMD2工艺 1

 

4.6.6 通孔1和金属层2工艺

 

4.6.7 IMD3工艺

 

4.6.8 通孔2和金属层3工艺 ��

 

4.6.9 IMD4工艺

 

4.6.10 顶层金属Al工艺

 

4.6.11 钝化层工艺、

 

参考文献

 

 

 

第5章 晶圆接受测试（WAT）

 

5.1 WAT概述

 

5.1.1 WAT简介

 

5.1.2 WAT测试类型

 

5.2 MOS参数的测试条件

 

5.2.1 阈值电压 V t 的测试条件

 

5.2.2 饱和电流 I dsat 的测试条件

 

5.2.3 漏电流 I off 的测试条件

 

5.2.4 源漏击穿电压 BVD的测试条件

 

5.2.5 衬底电流 I sub 的测试条件

 

5.3 栅氧化层参数的测试条件

 

5.3.1 电容 C gox 的测试条件

 

5.3.2 电性厚度 T gox 的测试条件

 

5.3.3 击穿电压 BV gox 的测试条件

 

5.4 寄生MOS参数测试条件

 

5.5 pn结参数的测试条件

 

5.5.1 电容 C jun 的测试条件

 

5.5.2 击穿电压 BV jun 的测试条件

 

5.6 方块电阻的测试条件

 

5.6.1 NW方块电阻的测试条件

 

5.6.2 PW方块电阻的测试条件

 

5.6.3 Poly方块电阻的测试条件

 

5.6.4 AA方块电阻的测试条件

 

5.6.5 金属方块电阻的测试条件

 

5.7 接触电阻的测试条件

 

5.7.1 AA接触电阻的测试条件

 

5.7.2 Poly接触电阻的测试条件

 

5.7.3 金属通孔接触电阻的测试条件

 

5.8 隔离的测试条件

 

5.8.1 AA隔离的测试条件

 

5.8.2 Poly隔离的测试条件

 

5.8.3 金属隔离的测试条件

 

5.9 电容的测试条件

 

5.9.1 电容的测试条件

 

5.9.2 电容击穿电压的测试条件

后记

缩略语

 

芯片SIP封装与工程设计

内容简介

侧重工程设计是《芯片SIP封装与工程设计》的特点，

《芯片SIP封装与工程设计》在内容编排上深入浅出、图文并茂，先从封装基础知识开始，介绍了不同的封装的类型及其特点，再深入封装内部结构的讲解，接着介绍封装基板的知识及完整的制作过程；在读者理解这些知识的基础后，系统地介绍了常见的WireBond及FlipChip封装的完整工程案例设计过程，介绍了如何使用自动布线工具以方便电子工程师在封装评估阶段快速获得基板的层数及可布线性的信息：在这些基础上再介绍SIP等复杂前沿的堆叠封装设计，使读者能由浅入深地学习封装设计的完整过程。由于国内绝大多数SI工程师对封装内部的理解不够深入，在SI仿真时对封装的模型只限于应用，因而《芯片SIP封装与工程设计》在封装设计完成后还介绍了一个完整的提取的WB封装电参数的过程，提取的模型可以直接应用到IBIS模型中，最后提供了两个作者自行开发的封装设计高效辅助免费工具。

《芯片SIP封装与工程设计》非常适合作为学习封装工程设计的参考材料。

作者简介

毛忠宇，毕业于电子科技大学微电子技术专业。

深耕电子科技行业二十余年，从事高速PCB设计、SI/PI仿真、PI仿真流程及仿真平台建设、高速IC封装设计等工作，对PCB-Package-IC协同设计、仿真方法及流程有清晰的认识与丰富的经验。

曾就职于深圳华为技术有限公司、海思半导体有限公司、兴森快捷电路科技股份有限公司等。EDA365论坛特邀版主。

主要出版物：

《信号、电源完整性仿真设计与高速产品应用实例》

《华为研发14载：那些-起奋斗过的互连岁月》

《IC封装基础与工程设计实例》

目录

第1章 芯片封装

1．1 芯片封装概述

1．1．1 芯片封装发展趋势

1．1．2 芯片连接技术

1．1．3 WB技术

1．1．4 FC技术

1．2 Leadframe封装

1．2．1 TO封装

1．2．2 DIP

1．2．3 SOP

1．2．4 SOJ

1．2．5 PLCC封装

1．2．6 QFP

1．2．7 QFN封装

1．3 BGA封装

1．3．1 PGA封装

1．3．2 LGA封装

1．3．3 TBGA封装

1．3．4 PBGA封装

1．3．5 CSP/FBGA封装

1．3．6 WLCSP

1．3．7 FC-PBGA封装

1．4 复杂结构封装

1．4．1 MCM封装

1．4．2 SIP

1．4．3 SOC封装

1．4．4 PIP

1．4．5 POP

1．4．6 3D封装

1．5 本章小结

 

第2章 芯片封装基板

2．1 封装基板

2．1．1 基板材料

2．1．2 基板加工工艺

2．1．3 基板表面处理

2．1．4 基板电镀

2．1．5 基板电镀线

2．1．6 基板设计规则

2．1．7 基板设计规则样例

2．2 基板加工过程

2．2．1 层叠结构

2．2．2 基板加工详细流程

……

第3章 APD使用简介

第4章 WB-PBGA封装项目设计

第5章 FC封装项目设计

第6章 复杂SIP类封装设计

第7章 封装模型参数提取

第8章 封装设计高效辅助工具